销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 ChipOneStop | BSC16DN25NS3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥4.95 10000+:¥4.75 25000+:¥4.68 50000+:¥4.571+:¥13.9 25+:¥12.95 100+:¥10 500+:¥7.79 1000+:¥6.95 5000+:¥5.795+:¥6.48 10+:¥5.42 50+:¥5.14 100+:¥4.8 200+:¥4.58 |
 Digi-Key 得捷电子 | BSC16DN25NS3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥4.95 10000+:¥4.75 25000+:¥4.68 50000+:¥4.57 |
 element14 e络盟电子 | BSC16DN25NS3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥4.95 10000+:¥4.75 25000+:¥4.68 50000+:¥4.571+:¥13.9 25+:¥12.95 100+:¥10 500+:¥7.79 1000+:¥6.95 5000+:¥5.79 |
 Mouser 贸泽电子 | BSC16DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 | 1:¥12.8368 10:¥10.9158 100:¥8.6784 500:¥7.6388 5,000:¥5.6839 10,000:查看
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 立创商城 | BSC16DN25NS3 G | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.9A(Tc) 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4V @ 32uA 漏源导通电阻:165mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):62.5W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥9.15 10+:¥6.67 30+:¥6.21 100+:¥5.76 500+:¥5.56 1000+:¥5.46
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